存储芯片概念活跃，同有科技涨停，佰维存储创新高。
存储芯片概念在18日盘中表现强势，截至发稿，同有科技封上涨停，涨幅达20%，朗科科技上涨超16%，再创历史新高，深科达涨幅逾15%，诚邦股份、中电港同样涨停；佰维存储上涨近9%，盘中继续刷新高点。
消息面上，3月17日，韩国SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC大会上指出，由于芯片制造存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片供应紧张的局面可能将持续至2030年。同时，他预测DRAM、NAND以及HBM等各类存储芯片的价格仍将继续上涨，涨幅可能维持较长时间。
西南证券分析指出，AI大模型技术出现超出预期的快速迭代升级，全球Token消耗量呈现爆发式增长，进而催生出庞大的数据存储、处理与检索需求，存储行业正迎来一个超级景气周期。海外三大原厂将有限产能优先分配给高利润的HBM和DDR5产品，导致消费级及低端存储芯片的产能受到严重挤压，供需缺口进一步扩大。同时，存储厂商在上一轮周期中因产能和资本开支过度扩张，本轮扩产动作普遍较为谨慎；此外，高端HBM存储芯片在洁净室建设周期长、良率爬坡困难等方面存在挑战，短期内供给仍将处于紧张状态。在需求激增与供给刚性的双重作用下，据CFM闪存市场预计，2026年存储价格整体仍将保持上涨趋势。
该机构认为，在全球存储行业持续高速增长的背景下，国内存储企业凭借工程师红利、完善的基础设施以及齐全的产业链配套等优势，正以前所未有的速度崛起。以长江存储、长鑫存储、兆易创新、江波龙等为代表的本土企业，通过自主架构创新与工艺迭代，实现产能不断扩张、良率稳步提升，在AI算力、消费电子和企业级市场等领域取得全面突破，推动中国存储产业从规模扩张向技术引领转变。 从行业发展趋势来看，这些企业的快速成长不仅体现了我国在半导体领域的自主创新能力增强，也反映出国家对战略性新兴产业的持续支持。随着全球对存储需求的不断提升，中国企业正在逐步掌握更多核心技术，逐步摆脱对外依赖，这对中国科技产业的整体升级具有重要意义。未来，如何进一步提升技术水平、拓展国际市场，将是这些企业需要面对的关键课题。
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