三星电子宣布HBM5与HBM5E将升级基础裸片与DRAM制程。
3月18日，据消息，三星电子存储器开发副总裁황상준在当地时间本月16日的GTC2026活动现场表示，三星将在HBM5和HBM5E世代分别对HBM内存基础（逻辑）裸片和DRAM裸片的工艺进行升级，而HBM4E的制程则将与HBM4保持一致。
整理如下：
黄相俊同时表示，三星电子将HBM4视为其整体HBM内存业务的核心，目标是占据超过一半的市场份额。三星电子还将加快HBM的研发进度，实现与英伟达同步的每年一次的更新速度。
相关阅读：
《三星 HBM4E 首发亮相 GTC 2026，还有 LPDDR6 内存、PCIe 6.0 固态硬盘 PM1763 等产品》
英伟达 GTC 2026 大会专题
2026-03-18 11:08
2026-03-18 11:07
2026-03-18 11:07
2026-03-18 11:04
2026-03-18 11:02
2026-03-18 11:01
2026-03-18 10:19
2026-03-18 10:19
2026-03-18 10:18
2026-03-18 10:16
2026-03-18 10:16
2026-03-18 10:15
2026-03-18 10:11
2026-03-18 09:29
2026-03-05 17:07
留言评论
(已有 0 条评论)暂无评论，成为第一个评论者吧！